電路的發(fā)展不斷使用到二極管，那么大家了解二極管的整流嗎？近幾年，隨著電子技術(shù)不斷飛速的發(fā)展，促使電路的工作電壓越來越低、電流越來越大。低電壓工作有利于降低電路的整體功率消耗，同時也給電源設(shè)計提出了新的難題。

開關(guān)電源的損耗主要由3部分組成：功率開關(guān)管的損耗，高頻變壓器的損耗，輸出端整流管的損耗。在低電壓、大電流輸出的情況下，整流二極管的導(dǎo)通壓降較高，輸出端整流管的損耗尤為突出。快恢復(fù)二極管(FRD)或超快恢復(fù)二極管(SRD)可達1.0～1.2V，即使采用低壓降的肖特基二極管(SBD)，也會產(chǎn)生大約0.6V的壓降，這就導(dǎo)致整流損耗增大，電源效率降低。

問題舉例
但設(shè)采用3.3V甚至1.8V或1.5V的供電電壓，所消耗的電流可達20A。此時超快恢復(fù)二極管的整流損耗已接近甚至超過電源輸出功率的50%。即使采用肖特基二極管，整流管上的損耗也會達到(18%～40%)PO，占電源總損耗的60%以上。因此，傳統(tǒng)的二極管整流電路已無法滿足實現(xiàn)低電壓、大電流開關(guān)電源高效率及小體積的需要，成為制約DC/DC變換器提高效率的瓶頸。

同步整流技術(shù)引言
在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，輸出直流電壓不高的隔離式轉(zhuǎn)換器都使用 MOSFET作為整流器件。由于這些器件上的導(dǎo)通損耗較小，能夠提高效率因而應(yīng)用越來越廣泛;為了這種電路能夠正常運作，必須對同步整流器(SR)加以控制，這是基本的要求。同步整流器是用來取代二極管的，所以必須選擇適當(dāng)?shù)姆椒?，按照二極管的工作規(guī)律來驅(qū)動同步整流器。驅(qū)動信號必須用PWM控制信號來形成，而PWM控制信號決定著開關(guān)型電路的不同狀態(tài)。

同步整流器件的特點
同步整流技術(shù)就是采用低導(dǎo)通電阻的功率MOS管代替開關(guān)變換器快恢復(fù)二極管，起整流管的作用，從而達到降低整流損耗，提高效率的目的。通常，變換器的主開關(guān)管也采用功率MOS管，但是二者還是有一些差異的。

功率MOS管實際上是一個雙向?qū)щ娖骷?，由于工作原理的不同，而?dǎo)致了其他一些方面的差異。例如：作為主開關(guān)的MOS管通常都是硬開關(guān)，因此要求開關(guān)速度快，以減小開關(guān)損耗;而作為整流/續(xù)流用的同步MOS管，則要求MOS管具有低導(dǎo)通電阻、體二極管反向恢復(fù)電荷小、柵極電阻小和開關(guān)特性好等特點，因此，雖然兩者都是MOS管，但是它們的工作特性和損耗機理并不一樣，對它們的性能參數(shù)要求也不一樣，認識這一點，對于如何正確選用MOS管是有益的。

同步整流的基本電路結(jié)構(gòu)
同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專用功率MOSFET，來取代整流二極管以降低整流損耗的一項新技術(shù)。它能大大提高DC/DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢壘電壓而造成的死區(qū)電壓。功率MOSFET屬于電壓控制型器件，它在導(dǎo)通時的伏安特性呈線性關(guān)系。用功率MOSFET做整流器時，要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能，故稱之為同步整流。

工作方式的比較
傳統(tǒng)的同步整流方案基本上都是PWM型同步整流，主開關(guān)與同步整流開關(guān)的驅(qū)動信號之間必須設(shè)置一定的死區(qū)時間，以避免交叉導(dǎo)通，因此，同步整流MOS管就存在體二極管導(dǎo)通和反向恢復(fù)等問題，從而降低同步整流電路的性能。